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1月17日消息,韓國KAIST學者Kim Jung-Ho昨日在一場論壇研討會上表示,盡管HBM高帶寬內存從初代推出到走至半導體產業(yè)舞臺中央花了近10年的時間,但HBF高帶寬閃存的這一過程將更為迅速。
一方面,幾大存儲原廠在開發(fā)HBM時積攢了大量堆棧構建方面的設計和工藝技術;另一方面,AI的爆炸式發(fā)展導致HBM在容量上已難以滿足AI負載的數據需求。

繼SK海力士后,三星電子也加入了閃迪首創(chuàng)的HBF技術陣營,三方正合作實現(xiàn)HBF的標準化。業(yè)內人士預測,HBF的帶寬將超過1638GB/s(注:相當于PCIe 6.0×4的50倍),容量則將達到512GB。
在商業(yè)化進程上,SK海力士有望在本月晚些時候展示HBF的早期測試版本,三星電子與閃迪正向2027年底~2028年初應用于英偉達、AMD、谷歌的AI XPU這一目標邁進。而HBF的廣泛應用則將等到HBM6發(fā)布,屆時單個基礎裸片將集成多組存儲堆棧。
Kim Jung-Ho認為,HBM與HBF的關系猶如書房與圖書館,前者容量較小、應用更為方便,后者容量更大、延遲更高;針對NAND閃存與DRAM內存的底層區(qū)別,軟件工程師需對操作HBF中數據的算法進行優(yōu)化,盡量減少寫入次數。
發(fā)布日期: 2024-07-08
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