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1月14日消息,市場研究機構(gòu)TrendForce近日發(fā)布最新報告指出,隨著臺積電、三星電子降低8英晶圓代工產(chǎn)能,將導(dǎo)致2026年全球8英寸晶圓代工總產(chǎn)能同步減少2.4%。與此用時,人工智能(AI)驅(qū)動的電源管理相關(guān)成熟制程芯片的需求依然強勁,使得8英寸晶圓代工廠今年產(chǎn)能利用率有望提升到90%。此消彼長之下,8英寸晶圓代工廠今年或
5月17日消息,據(jù)EEnews europe報道,法國科技公司 Iten 正在與 A*STAR 微電子研究所 (A*STAR IME) 合作,將固態(tài)電池技術(shù)集成到晶圓級的 3D 封裝中。這將使系統(tǒng)級封裝 (SiP) 設(shè)計能夠?qū)⒐虘B(tài)電池與微控制器相結(jié)合。在單個封裝中實現(xiàn)晶圓級集成,不僅降低了組裝復(fù)雜性,還提高了互連可靠性。焊點和連接器越少,潛在的故障點
-英飛凌是首家掌握20μm超薄功率半導(dǎo)體晶圓處理和加工技術(shù)的公司- 通過降低晶圓厚度將基板電阻減半,進而將功率損耗減少15%以上- 新技術(shù)可用于各種應(yīng)用,包括英飛凌的AI賦能路線圖- 超薄晶圓技術(shù)已獲認可并向客戶發(fā)布【2024年10月29日,德國慕尼黑訊】繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)
據(jù)路透社6月18日報道,美國商務(wù)部官員正在與荷蘭、日本協(xié)調(diào),希望以推動收緊半導(dǎo)體制造設(shè)備出口管制政策,進一步限制中國大陸先進半導(dǎo)體的制造能力。據(jù)知情人士表示,1名美國官員在與荷蘭政府會面后將前往日本,以推動盟友繼續(xù)收緊芯片制造設(shè)備對東方的出口管制。報道稱,美國商務(wù)部主管工業(yè)和安全(BIS)的副部長艾倫·艾斯
臺積電在5月中旬舉行的歐洲技術(shù)研討會上透露,隨著在德國和日本新建晶圓廠以及在中國臺灣擴大產(chǎn)能,臺積電計劃到2027年將其特種工藝制程產(chǎn)能擴大50%。為實現(xiàn)這一目標(biāo),臺積電不僅需要轉(zhuǎn)換現(xiàn)有產(chǎn)能,還需要為此新建晶圓廠。臺積電同時公布下一個特殊制程節(jié)點:N4e,一種4nm級超低功耗工藝節(jié)點。臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展暨海外運營處副
上周召開的臺積電(TSMC)北美技術(shù)研討會上,特斯拉表示專門用于訓(xùn)練 AI 的晶圓級 Dojo 處理器已經(jīng)投入量產(chǎn),距離部署已經(jīng)不遠了。特斯拉的 Dojo 晶圓上系統(tǒng)(system-on-wafer)處理器(特斯拉官方稱其為 Dojo Training Tile)采用 5*5 陣列共計 25 顆芯片,這些芯片放置在載體晶圓上,然后使用臺積電的集成扇出(InFO)技術(shù)
4月9日消息,美國政府宣布,計劃向臺積電提供66億美元現(xiàn)金補貼、50億美元低息貸款,總額116億美元,約合人民幣840億元,支持其在美國本土的芯片制造。這是美國根據(jù)《芯片與科學(xué)法案》所批準(zhǔn)的最大一筆投資。同時,臺積電計劃在美國亞利桑那州鳳凰城建設(shè)第三座晶圓廠,在美投資總額將超過650億美元,約合人民幣4700億元。臺積
4月5日,美國和歐盟結(jié)束為期兩天的“貿(mào)易與技術(shù)委員會會議”(TTC),并針對會議達成的成果發(fā)布了一份長達12頁的聯(lián)合聲明,其中半導(dǎo)體領(lǐng)域的合作成為了重點。雙方均表示,將針對傳統(tǒng)半導(dǎo)體(主要是成熟制程芯片)供應(yīng)鏈進行調(diào)查,并計劃采取“下一步措施”!美國與歐盟在聯(lián)合聲明中表示:“我們協(xié)調(diào)各自建立有彈性的半導(dǎo)體供
2 月 24 日消息,據(jù)日本熊本縣當(dāng)?shù)孛襟w《熊本日日新聞》當(dāng)?shù)貢r間 21 日報道,臺積電日本子公司JASM位于熊本縣的第二晶圓廠動工建設(shè)時間已從 2025 年一季度調(diào)整為 2025 年內(nèi),不過該晶圓廠 2027 年投產(chǎn)的計劃沒有發(fā)生改變。JASM 第二晶圓廠將提供 6/7nm 準(zhǔn)先進制程和 40nm 成熟制程產(chǎn)能,進一步提升日本國內(nèi)的半
2 月 17 日消息,臺媒《經(jīng)濟日報》本月 14 日報道稱,在臺積電赴美召開董事會的行程期間,這家芯片代工巨頭的掌門人魏哲家同美國子公司 TSMC Arizona 干部舉行內(nèi)部會議,作出了多項決議。其中在先進制程部分,臺積電計劃在亞利桑那菲尼克斯建設(shè)的第三晶圓廠Fab 21 p 將于今年年中動工。該晶圓廠將包含 2nm 和 A16 節(jié)點