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516 次今天凌晨，三星在美國加利福尼亞州圣何塞市三星設備解決方案美國總部舉行的年度活動“三星代工論壇（SFF）”上，公布了最新的代工創(chuàng)新成果，并概述了人工智能時代的愿景。在“Empowering the AI Revolution”主題下，三星公布了強化制程技術路線圖，其中包括了SF2Z和SF4U工藝，以及三星AI解決方案。
三星將在SF2Z工藝上集成了經(jīng)過優(yōu)化的“BSPDN（背面供電網(wǎng)絡）”技術，將電源軌置于晶圓的背面，以消除電源線和信號線之間的瓶頸。與2nm制程節(jié)點的初代SF2工藝相比，SF2Z不僅提高了功率、性能和面積（PPA）規(guī)格，還顯著降低了電路壓降，從而增強了芯片性能。SF4U工藝是對原有4nm制程的優(yōu)化，通過結合光學收縮改進了功率、性能和面積的表現(xiàn)。
按照三星的安排，SF2Z工藝將于2027年量產(chǎn)，SF4U工藝則計劃在2025年量產(chǎn)。三星還表示，SF1.4工藝準備工作進展順利，有望在2027年量產(chǎn)，通過材料和結構創(chuàng)新，積極塑造1.4nm以下的未來制程技術。三星稱，GAA工藝進入量產(chǎn)的第三個年頭，在產(chǎn)能和性能上都更加成熟，積累的經(jīng)驗將應用于今年下半年量產(chǎn)的第二代3nm工藝（SF3）和即將到來的2nm工藝。
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發(fā)布日期: 2024-10-10
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