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9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號于 9 月 1 日發(fā)布博文，報道稱國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（南京）歷時 4 年自主研發(fā)，成功攻關溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關鍵技術，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實現(xiàn)我國在該領域的首次突破。項目背景碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有
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8月16日，日本財務?。簇斦浚┌l(fā)布公告稱，作為確保穩(wěn)定供應鏈的努力的一部分，日本已經修訂《外匯外貿法》，增加了對半導體設備等核心產業(yè)的實施外資投資監(jiān)管的條款。該規(guī)定將適用于9月15日之后進行的直接投資等或特定收購。日本財政部在公告中表示，現(xiàn)在外國投資者（非居民，如外公公司）在對日本“核心業(yè)務部門”進行
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7 月 20 日消息，來自美國麻省理工學院、加拿大渥太華大學等機構的科學家，利用一種名為三元碲鉍礦（ternary tetradymite）的晶體材料研制出一種新型超薄晶體薄膜半導體。據(jù)介紹，這種 " 薄膜 " 厚度僅 100 納米，其中電子的遷移速度約為傳統(tǒng)半導體的 7 倍從而創(chuàng)下新紀錄。這一成果有助科學家研發(fā)出新型高效電子設
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美國政府2年前限制了最新半導體設備的對華出口，但對中國的依賴仍在持續(xù)。 美國應用材料在2024年2～4月的營收中，中國所占比例達到43%，科林研發(fā)1～3月的這一比例也達到42%。一家大型設備商高管說：“如果沒有管制，中國業(yè)務的比例應該會更高”……美國半導體設備制造商對中國的依賴仍在持續(xù)。美國政府2年前限制了最新設備的
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在中國半導體產業(yè)發(fā)展史上，清華大學占據(jù)著無可替代的地位。某種意義上，清華大學可以說是中國的“造芯孵化器”，也被譽為中國半導體產業(yè)的“黃埔軍?！保瑖鴥戎辽儆幸话氚雽w企業(yè)的創(chuàng)始團隊、高管畢業(yè)于清華大學，他們在我國半導體產業(yè)發(fā)展的過程中，發(fā)揮了難以估量的重要影響力?？梢哉f清華系半導體企業(yè)的發(fā)展，是中
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2024年07月10日，馬來西亞古晉——全球微電子工程公司邁來芯宣布，其位于馬來西亞砂拉越州古晉的全球最大晶圓測試基地已圓滿落成。此次擴張不僅標志著邁來芯對半導體增長需求的積極響應，也體現(xiàn)公司在亞太地區(qū)擴大的影響力和市場覆蓋的戰(zhàn)略布局。邁來芯在馬來西亞的擴張項目正式落成，這標志著公司35年發(fā)展歷程中的
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7 月 11 日消息，日本信越化學 6 月 12 日宣布開發(fā)出新型半導體后端制造設備，可直接在封裝基板上構建符合 2.5D 先進封裝集成需求的電路圖案。▲蝕刻圖案這意味著可在HBM內存集成工藝中完全省略昂貴的中介層（Interposer），在大大降低生產成本的同時也縮短了先進封裝流程?！?.5D 集成結構對比信越
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7 月 7 日消息，美國密歇根州立大學 (MSU) 的物理學家們開發(fā)了一種新的方法，可以以原子尺度分析半導體。這種方法將高分辨率顯微鏡與超快激光結合起來，可以以前所未有的方式檢測半導體的“缺陷”。這項研究由密歇根州立大學杰里?考恩實驗物理學資助講座教授泰勒?科克爾 (Tyler Cocker) 領導，旨在克服長期存在的挑戰(zhàn)。隨
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2024年7月2日，中國——意法半導體推出了TSB952雙運算放大器(運放)。新產品具有52MHz的增益帶寬，在36V電壓時，電源電流每通道僅為3.3mA，為注重功耗的設計帶來高性能。TSB952的電源電壓范圍是4.5V-36V，具有很高的設計靈活性，可使用包括行業(yè)標準電壓軌在內的多種電源。此外，寬
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7月3日消息，據(jù)彭博社報道，美國拜登政府于當?shù)貢r間7月2日宣布，將為12個地區(qū)技術中心提供5.04億美元資金，以擴大AI、半導體制造和清潔能源等領域研究。獲資助中心包括紐約州、佛羅里達州、內華達州及南卡羅萊納州的技術中心。這些獲獎項目包括向南佛羅里達州的研究人員提供1,900萬美元，關注可持續(xù)發(fā)展和氣候調節(jié)的基礎設施
