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5 月 22 日消息，北京大學(xué)物理學(xué)院現(xiàn)代光學(xué)研究所"極端光學(xué)創(chuàng)新研究團(tuán)隊 " 的王劍威研究員、胡小永教授、龔旗煌教授團(tuán)隊與合作者近日提出并實現(xiàn)了一種基于大規(guī)模集成光學(xué)的完全可編程拓?fù)涔庾有酒?。研究人員通過在硅芯片上大規(guī)模集成可重構(gòu)的光學(xué)微環(huán)腔陣列，首次實現(xiàn)了一種任意可編程的光學(xué)弗洛凱人
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高數(shù)值孔徑 （ High -NA ） EUV 光刻 機(jī) 剛剛起步，ASML又開始 致力于開發(fā) 超數(shù)孔徑Hyper-NA EUV光刻機(jī)。 ASML 名 譽(yù)首席技術(shù)官 Martin van den Brink在安特衛(wèi)普舉行的Imec技術(shù)論壇（ITF）上發(fā)表演講時透露了公司的未來規(guī)劃。 他表示，在未來十年內(nèi)，ASML將構(gòu)建一個集成低數(shù)值孔徑、高數(shù)值孔
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5 月 23 日消息，據(jù)荷蘭媒體 Bits&Chips 報道，ASML顧問、前任 CTO 馬丁?范登布林克（Martin van den Brink）近日稱，這家光刻機(jī)制造商考慮推出一個通用 EUV 光刻平臺。范登布林克在本月 21~22 日舉行的 2024 年度 imec ITF World 技術(shù)論壇上表示：我們提出了一個長期（也許十年）的路線圖：我們將擁有一個包含
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5月22日消息，英特爾近期宣布，其下一代Lunar Lake系列處理器將提前至第三季度正式出貨，該處理器的NPU算力高達(dá)45 TOPS，并采取了將LPDDR5X內(nèi)存芯片與CPU整合到單一封裝內(nèi)的設(shè)計方案。然而，這一決策引發(fā)了個人電腦（PC）供應(yīng)鏈的不滿。Lunar Lake處理器推出時，將有約20家廠商推出共計80款機(jī)型，而英特爾Metro Lake、Lunar
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5月22日消息，據(jù)媒體報道，三星將在2024年下半年開始大規(guī)模量產(chǎn)3nmExynos處理器，命名為Exynos 2500，由三星Galaxy S25系列首發(fā)搭載。資料顯示，去年臺積電率先量產(chǎn)商用3nm制程，由蘋果A17 Pro、M4首批搭載。時隔一年時間，高通、聯(lián)發(fā)科也將擁抱3nm制程，今年下半年，高通驍龍8 Gen4、聯(lián)發(fā)科天璣9400等都將切入臺積電
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5月23日消息，在5月22日澳門舉辦的BEYOND國際科技創(chuàng)新博覽會上，寧德時代董事長曾毓群透露，公司正致力于電動飛機(jī)領(lǐng)域的合作開發(fā)。他指出，寧德時代正從小飛機(jī)著手，逐步發(fā)展至8.8噸重的飛機(jī)，并已開始試飛4噸重的飛機(jī)。盡管如此，達(dá)到商用標(biāo)準(zhǔn)需要8噸以上的飛機(jī)，寧德時代將繼續(xù)努力，預(yù)計在2027至2028年推出相關(guān)應(yīng)用。同一
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5月22日消息，據(jù)外媒報道稱，ASML聲稱可以遠(yuǎn)程癱瘓旗下售出的光刻機(jī)，這引來網(wǎng)友的圍觀?，F(xiàn)在，報道中有給出了更多有趣的細(xì)節(jié)，比如ASML表示可以遠(yuǎn)程癱瘓（remotely disable）相應(yīng)機(jī)器，包括最先進(jìn)的極紫外光刻機(jī)（EUV）。消息人士稱，EUV需要頻繁維護(hù)，如果沒有ASML提供的備件，這些機(jī)器很快就會停止工作。此外，EUV的現(xiàn)場
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5月22日消息，華為在Mate50系列上首發(fā)了北斗衛(wèi)星消息，成為業(yè)界首款支持北斗衛(wèi)星消息的大眾智能手機(jī)。隨后的P60/70、Mate60/X5等機(jī)型也都支持該功能，甚至還加入了天通衛(wèi)星通話。在天通衛(wèi)星通話推出之后，其他國產(chǎn)廠商也紛紛開始跟進(jìn)，包括小米、OPPO、榮耀等。但需要注意的是，這些廠商清一色只有天通衛(wèi)星通信系統(tǒng)，均不支
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5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業(yè)計劃在明年推出4F2VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上：一種是 4F2VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；
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5月21日消息，據(jù)媒體報道，三星計劃利用其即將推出的第二代3nm工藝技術(shù)來爭奪英偉達(dá)的芯片代工訂單。但最新報告顯示，三星3nm工藝的良率僅為20%，這可能成為其競爭中的一個重大障礙。與此形成鮮明對比的是，臺積電的N3B工藝良率已接近55%，這使得臺積電在先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域保持了其行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。三星的低良率意味著其生
