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近日，我國(guó)在8英寸碳化硅領(lǐng)域多番突破，中國(guó)電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備再升級(jí)，三義激光首批碳化硅激光設(shè)備正式交付，天岳先進(jìn)8英寸碳化硅襯底批量銷(xiāo)售，上海漢虹成功制備8英寸碳化硅晶體。8英寸碳化硅時(shí)代已呼嘯而來(lái)，未來(lái)將會(huì)有更多廠(chǎng)商帶來(lái)新的產(chǎn)品和技術(shù)，我們拭目以待。關(guān)鍵突破！中國(guó)電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備再
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2024年9月11日，美國(guó)北卡羅來(lái)納州達(dá)勒姆市、中國(guó)上海市訊 — 全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc.（NYSE: WOLF）于近日宣布推出最新 2300 V 無(wú)基板碳化硅模塊。這一碳化硅解決方案經(jīng)過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)，可帶來(lái)效率、耐用性、可靠性、可擴(kuò)展性的提升，將助力推動(dòng)可再生能源、儲(chǔ)能、高容量快速充電等領(lǐng)域的變革。這款 2300
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9 月 6 日消息，9 月 5 日，2024 年京東顯示器行業(yè)峰會(huì)在北京舉辦，京東方在本次活動(dòng)發(fā)布新一代 ADS Pro（高端 LCD 顯示技術(shù)解決方案）+MLED背光顯示解決方案，并聯(lián)合京東啟動(dòng)高端顯示器示范推廣項(xiàng)目。從官方介紹獲悉，該解決方案可支持高達(dá) 500Hz 的刷新率、GTG 1ms 響應(yīng)速度與低至 1ms 以下的背光動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間。畫(huà)質(zhì)
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9月3日，在SEMICON Taiwan 2024展會(huì)活動(dòng)中，全球半導(dǎo)體知名研究機(jī)構(gòu)比利時(shí)微電子研究中心（imec）舉行了“ITF Taiwan 2024技術(shù)論壇”，聯(lián)發(fā)科CEO蔡力行在該論壇上透露，AI數(shù)據(jù)中心相關(guān)需求來(lái)得比預(yù)期多又快，這對(duì)于半導(dǎo)體業(yè)來(lái)說(shuō)是一大機(jī)遇，聯(lián)發(fā)科將進(jìn)軍AI服務(wù)器市場(chǎng)。同時(shí)他還透露，天璣9400將會(huì)在10月正式發(fā)布。蔡力行指出
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中國(guó)上海，2024年8月29日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出適用于高電壓汽車(chē)電池應(yīng)用的車(chē)載光繼電器[1]——“TLX9152M”。這款新器件采用SO16L-T封裝，輸出耐壓可達(dá)900 V（最小值）。該產(chǎn)品于近日開(kāi)始支持批量出貨。縮短充電時(shí)間和增加續(xù)航里程對(duì)于推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)的普及至關(guān)重要，而這兩
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中國(guó)北京，2024年9月4日訊 —— 此前人們認(rèn)為中微子粒子是沒(méi)有質(zhì)量的。直到近些年，人們才意識(shí)到中微子粒子質(zhì)量很小，并能在三種不同“味道”之間相互切換。這些被稱(chēng)為“幽靈粒子”的中微子粒子通常能夠穿過(guò)大多數(shù)普通物質(zhì)而不被檢測(cè)到，因此人們常常需要借助專(zhuān)業(yè)的探測(cè)器對(duì)其進(jìn)行研究。最新的中微子實(shí)驗(yàn)裝置JUNO位于中國(guó)江
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9 月 2 日消息，據(jù)中興通訊官方消息，在最新一屆的北京國(guó)際廣播電影電視展覽會(huì)上，中央廣播電視總臺(tái)攜手北京移動(dòng)、中興通訊推出" 室內(nèi)外5G-A超高清淺壓縮無(wú)線(xiàn)實(shí)時(shí)制作系統(tǒng) "。從官方介紹獲悉，5G-A 技術(shù)的核心優(yōu)勢(shì)在于其更高的數(shù)據(jù)傳輸速率和更低的時(shí)延，在展覽會(huì)現(xiàn)場(chǎng)央視總臺(tái)室內(nèi)展館區(qū)，中興通訊 5
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9 月 3 日消息，作為一項(xiàng)各國(guó)都在探索的前沿技術(shù)，腦機(jī)接口（BMI）對(duì)于幫助嚴(yán)重運(yùn)動(dòng)障礙患者恢復(fù)溝通和身體控制能力有望帶來(lái)更具開(kāi)創(chuàng)性的解決方案，且有可能擴(kuò)展到語(yǔ)音合成和手寫(xiě)輔助領(lǐng)域，但現(xiàn)有的腦機(jī)接口設(shè)備體積龐大、耗電量高，且實(shí)際應(yīng)用有限。瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院 (EPFL，與蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院一起組成瑞士聯(lián)邦理工
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9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號(hào)于 9 月 1 日發(fā)布博文，報(bào)道稱(chēng)國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時(shí) 4 年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實(shí)現(xiàn)我國(guó)在該領(lǐng)域的首次突破。項(xiàng)目背景碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一，具有
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9 月 3 日消息，韓媒 etnews 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，三星電子和SK 海力士的“類(lèi)HBM式”堆疊結(jié)構(gòu)移動(dòng)內(nèi)存產(chǎn)品將在 2026 年后實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。消息人士表示這兩大韓國(guó)內(nèi)存巨頭將堆疊式移動(dòng)內(nèi)存視為未來(lái)重要收入來(lái)源，計(jì)劃將“類(lèi) HBM 內(nèi)存”擴(kuò)展到智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦中，為端側(cè) AI 提供動(dòng)力。綜合IT之
